优势产品:烧结银、无压烧结银,有压烧结银,半烧结纳米银膏、导电胶、导电银浆、导电油墨、银/氯化银、纳米银浆、可拉伸银浆、烧结银膜、纳米焊料键合材料、UV银浆、光刻银浆、UV胶、导热绝缘胶、DTS预烧结银焊片、导电银膜、银玻璃胶粘剂,纳米银墨水、纳米银胶、纳米银膏、可焊接低温银浆、高导热银胶、导电胶等产品,拥有完善的纳米颗粒技术平台,金属技术平台、树脂合成技术平台、同位合成技术平台,粘结技术平台等。
车规级SIC碳化硅芯片烧结银特点
碳化硅MOSFET模块主要是为新能源汽车主逆变器应用需求而推出的,在生产工艺方面均采用的是AS9385银烧结技术,银烧结技术是以银作为媒介将芯片连接起来,该技术目前在碳化硅模块封装中应用较为广泛。
与传统的锡焊相比,银的熔点能达到961℃,锡的熔点只有230摄氏度左右,当碳化硅模块工作温度高于200摄氏度时,使用锡焊在连接层处会出现典型的疲劳效应。由于银具有优异的导热和导电特性,使用银烧结技术不仅能够提高了模块的可靠性、工作结温,还能降低热阻和寄生电感,进而提升整车的电能效率。
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